Pagina 1 van 1

gate aanpassing voor RD06HVF1 VHF power mosfet

Geplaatst: 06 jun 2019, 22:35
door PD0RTT
Volgens de datasheet van deze transistor bedraagt de gate capaciteit een reactantie van 25,6 ohm:
VHF power mosfet.PNG
Betekend dit dat ik een inductieve reactantie moet gebruiken in serie met de gate, zodat inductieve en capacitieve reactanties elkaar opheffen?

Re: gate aanpassing voor RD06HVF1 VHF power mosfet

Geplaatst: 07 jun 2019, 09:36
door pa0ejh
Dit zou het moeten zijn, maar dat is bij 175Mhz, je zult wat moeten fine tunen, omdat je de waarde bij 145Mhz niet weet...
MosFet_inp_imp.png

Re: gate aanpassing voor RD06HVF1 VHF power mosfet

Geplaatst: 07 jun 2019, 15:11
door PD0RTT
Bedankt PA0EJH voor de reactie, hier kan ik wel wat mee.

Re: gate aanpassing voor RD06HVF1 VHF power mosfet

Geplaatst: 07 jun 2019, 15:17
door pa0ejh
Ik heb 50 Ohm als ingangs impedantie verondersteld, maar als er nog trap voor zit die niet 50 Ohm is klopt het dus niet meer, en het is bij 175Mhz.

Weet dus niet wat de Fet is bij 145 Mhz, misschien een andere datasheet zoeken die wat meer info geeft...