PB5X schreef:
Even een vraag?
Kan iemand mijn uitleggen wat het verschil is tussen de LDMOS BLF188XR en
de MRFE6VP61K25H (Freescale) die in mijn amplifier zit ?
De ontwikkeling van deze FETs loopt alweer een aantal jaren en tussen de
twee hoofdproducenten is/was het een nek-aan-nek race. Met de organisatorische
herpositioneringen van deze twee partijen zal moeten blijken hoe deze
'ratrace' zal gaan verlopen.
Naast dat het devices van verschillende fabrikanten/concurrenten zijn, is
het eerste wezenlijke verschil tussen de MREF6VP1k25 en de BLF188XR dat het
resp. 2e en 3e generatie LDMOS fets zijn.
De 1k25 is 'formeel' 1:1 compatible met de BLF578
XR.
Hun voorgangers, resp. MRF6VP11KH en de BLF578 (dus zonder XR) worden
als 'eerste generatie' aangemerkt. Formeel niet de 'eerste generatie' LDMOS
maar de 'eerste generatie' devices die > 1kW output breedband met redelijke
efficiency kunnen leveren.
Het verschil tussen de 'generaties' zit hem in het inwendige van de dies/chips
en manifesteert zich o.a. door verbeterde interne matchingsfunctionaliteiten.
Het moge (hopelijk) duidelijk zijn dat wanneer je een device maakt dat
van 1 - 600 MHz met -zeg- 70% efficiency > 1 kW moet leveren, je
ervoor moet zorgen dat de in- en uitgangsimpedanties 'Ohms' moeten zijn
over dit brede frequentiegebied. Daarnaast moet in geval van een mismatch
het device zo reageren dat er niet 'coute que coute' stroom wordt getrokken
die dan in (onnodige) warmte wordt omgezet.
De dingen regelen zichzelf dus terug en dat kan je ook erg mooi merken.
Wanneer er sprake is van een mismatch kan je op een gegeven moment
niet meer stroom laten lopen. B.v. bij max output loopt er dan 'maar' 20A,
hetgeen op een suboptimale aanpassing aan de drains duidt.
Dit hele (terug)regelmechanisme had bij 1e en 2e generaties wat -niet nader
te duiden- onvolkomenheden en die zijn v.w.b. NXP bij de BLF188XR
(naar zeggen) opgelost.
Was de VSWR-bescherming bij de eerste generatie 1:10, bij de tweede
generatie 1:65 (overigens, daar moet je al veel moeite voor doen
om dat te bereiken, zie b.v. de filmpjes op YouTube), bij de 3e generatie
ligt dit nog hoger.
Een ander verschil tussen de 'generaties' is de manier waarop de die op
de behuizing is gemonteerd. Het moge duidelijk zijn dat wanneer je -zeg-
400W aan ontwikkelde warmte uit een die moet afvoeren, je ernstig aandacht
moet besteden aan de materialen en hun warmtecapaciteit(en).
Hier zijn thans (as we speak) ook weer ontwikkelingen die er in zullen
resulteren dat de behuizingen van de FETs anders worden, ook om
het materiaal tussen de die en de behuizing te optimaliseren. De witte
behuizing is duur. Naar ik me heb laten vertellen, zijn de kosten van de
behuizing ongeveer even veel als de productiekosten van de FET zelf,
ook omdat deze behuizingen door voornamelijk een (1) producent
worden gemaakt (Kyocera).
Overigens, wanneer je de BLF188XR voor ca. < 100 MHz gebruikt,
kan je ook een BLF178XR nemen. Dat is namelijk een 188XR die
zijn specs net niet haalt ;-)
In onze praktijk, uitgaande van antennes die enigszins aanpassen
maakt het niet uit of je een Freescale of NXP device gebruikt.
Wel is het zo dat de BLF188XR iets meer output kan leveren,
zo tegen de 1500W tegen 1200W bij de MRFE6VP1K25.