van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
Na al een half leven met allerhande transistors in de weer te zijn geweest, nu maar eens een mosfet ter hand genomen.
Via ebay wat van die dingen op de kop getikt(nos) voorzien van pcb.
Nu zit ik een beetje met de bias instellingen op de gate. Waar ik gewend ben om simpel een dc spanning aan te kunnen leggen op de collector, kom ik nu het volgende tegen. Ik zie dat bij het aanbrengen van "schijnbaar" te hoge bias spanning de fet flink stroom (1 tot 2 ampère) gaat staan souperen via de drain, zonder dat er vermogen op de ingang staat. Wat is in dat geval de beste in regeling? Zo ver terug regelen dat er geen stroom meer loopt op de voeding die op de drain staat aangesloten? Zit ik dan in een veilig gebied of moet ik nog meer terug? Of, is het zowieso niet goed dat er een stroom loopt bij een te hoge bias spanning? Bias stroom overigens blijft beperkt tot paar 100 mA.
Ten overvloede, alle metingen die ik tot dusver heb gedaan is zonder hf input uitgevoerd. Als alles klaar is zou die op 23cm iets van 100watt moeten kunnen leveren.
Via ebay wat van die dingen op de kop getikt(nos) voorzien van pcb.
Nu zit ik een beetje met de bias instellingen op de gate. Waar ik gewend ben om simpel een dc spanning aan te kunnen leggen op de collector, kom ik nu het volgende tegen. Ik zie dat bij het aanbrengen van "schijnbaar" te hoge bias spanning de fet flink stroom (1 tot 2 ampère) gaat staan souperen via de drain, zonder dat er vermogen op de ingang staat. Wat is in dat geval de beste in regeling? Zo ver terug regelen dat er geen stroom meer loopt op de voeding die op de drain staat aangesloten? Zit ik dan in een veilig gebied of moet ik nog meer terug? Of, is het zowieso niet goed dat er een stroom loopt bij een te hoge bias spanning? Bias stroom overigens blijft beperkt tot paar 100 mA.
Ten overvloede, alle metingen die ik tot dusver heb gedaan is zonder hf input uitgevoerd. Als alles klaar is zou die op 23cm iets van 100watt moeten kunnen leveren.
Een postzegelverzamelaar en zendamateur hebben een ding gemeen...bang voor wind!
-
- Berichten: 2087
- Lid geworden op: 21 mar 2015, 19:42
- Roepletters: pe1cmo
- Locatie: Ayamonte (spanje)
- Contacteer:
Re: van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
Wel eens van datasheets gehoord. Zoek de datasheet van je fet op, kijk wat er aan ruststroom hoort te lopen en gebruik dit dan ook.
Mogelijk staat er ook iets vermeld over een eventuele print constructie. Dus in en uitgangscirquit.
Gewoon met spoeltjes zal het zeker niet lukken.
Mogelijk staat er ook iets vermeld over een eventuele print constructie. Dus in en uitgangscirquit.
Gewoon met spoeltjes zal het zeker niet lukken.
PE1CMO/EA7LAD
Ayamonte España
Ayamonte España
Re: van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
Bedankt voor deze duidelijke uitleg van mijn vragen. Je hebt me er enorm mee geholpen.
Oja, spoeltjes??
Oja, spoeltjes??
Een postzegelverzamelaar en zendamateur hebben een ding gemeen...bang voor wind!
-
- Berichten: 2087
- Lid geworden op: 21 mar 2015, 19:42
- Roepletters: pe1cmo
- Locatie: Ayamonte (spanje)
- Contacteer:
Re: van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
Wat voor FET is het, type nummer bijvoorbeeld ??
PE1CMO/EA7LAD
Ayamonte España
Ayamonte España
Re: van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
hier staan de meest gebruikte principes wel in
http://www.qsl.net/va3iul/Bias/Bias_Cir ... evices.pdf
maar er zijn vast specifieke instellingen te vinden voor de door jou gebruikte FET
73 Rick
http://www.qsl.net/va3iul/Bias/Bias_Cir ... evices.pdf
maar er zijn vast specifieke instellingen te vinden voor de door jou gebruikte FET
73 Rick
- PA3DJS
- Berichten: 2531
- Lid geworden op: 04 mei 2014, 16:41
- Roepletters: PA3DJS
- Locatie: Maarssen
- Contacteer:
Re: van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
andre schreef:Na al een half leven met allerhande transistors in de weer te zijn geweest, nu maar eens een mosfet ter hand genomen.
Via ebay wat van die dingen op de kop getikt(nos) voorzien van pcb.
Nu zit ik een beetje met de bias instellingen op de gate. Waar ik gewend ben om simpel een dc spanning aan te kunnen leggen op de collector, kom ik nu het volgende tegen. Ik zie dat bij het aanbrengen van "schijnbaar" te hoge bias spanning de fet flink stroom (1 tot 2 ampère) gaat staan souperen via de drain, zonder dat er vermogen op de ingang staat. Wat is in dat geval de beste in regeling? Zo ver terug regelen dat er geen stroom meer loopt op de voeding die op de drain staat aangesloten? Zit ik dan in een veilig gebied of moet ik nog meer terug? Of, is het zowieso niet goed dat er een stroom loopt bij een te hoge bias spanning? Bias stroom overigens blijft beperkt tot paar 100 mA.
Ten overvloede, alle metingen die ik tot dusver heb gedaan is zonder hf input uitgevoerd. Als alles klaar is zou die op 23cm iets van 100watt moeten kunnen leveren.
Als je PA voor SSB bedrijf bedoeld is, heb je een gelijkstroominstelling bij 0 input nodig om de intermodulatievervorming in de hand te houden. Er is een optimale draininstelstroom waarbij IMD minimaal is, en dat verschilt per device. De gate DC-stroom is altijd nul. Daardoor kan het gate bias circuit relatief hoogohmig zijn (dit in tegenstelling tot een BJT eindtransistor).
Als het een gebalanceerde eindtrap is, kun je twee instelpotmeters hebben (iedere FET zijn eigen instelpotmeter). Gebruik je een device met twee mosfets in één behuizing, dan heb je maar één instelling nodig die beide mosfets van de juiste gate spanning voorziet opdat bijvoorbeeld iedere mosfet 100 mA trekt (zonder sturing, maar volledige Vds aanwezig).
In geval van een eindtrap voor FM of andere mode waarbij de omhullende nauwelijks varieert, kun je naar nagenoeg 0 mA. Je rendement is dan hoger, en de gain ietsje minder.
Als je zelf gaat ontwerpen, mosfets hebben nog weleens de neiging om beneden de werkfrequentie te oscilleren. Zie bijvoorbeeld:
http://www.polyfet.com/mtt97.pdf
Als je ziet dat tijdens het langzaam varieren van de gate biasspanning, de drainstroom plotseling toeneemt, of afneemt, heb je 100% zeker last van instabiliteit (defecte instelpotmeter even niet meegerekend). Een power supply met traploos instelbare snel ingrijpende stroombegrenzing is geen overbodige luxe.
Re: van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
Bedankt voor het mee denken. Ik ben zowieso wat wijzer geworden op het gebied van juiste instelling, en bewust onjuiste instellingen van de bias spanning. PA behoeft geen ssb te gaan doen, dus die deviaties zijn wat minder belangrijk volgens mij.
Ben er ook achter dat een ruststroom van 1200mA vdc ds (volgens de datasheet) mijn koelblok al lekker staat op te warmen. Oja...dat dan maal 2!!
Er staan namelijk gebroederlijk 2 van die fets naast elkaar.
Als ik het verder goed begrijp is dat wanneer er een hf input staat aangesloten, de bias spanning wat gaat zakken ten gevolge van de wisselspanning component in het hf signaal. Valt er dan nog te berekenen(of te beredeneren) hoeveel dat is van de totaal aangeleverde bias spanning?
@PASDJS:
Ik heb nu de bias spanning voor beide fets gewoon aan elkaar geknoopt. Kan dit verdere gevolgen hebben ook als de fets een echt "paartje" zijn?
Ben er ook achter dat een ruststroom van 1200mA vdc ds (volgens de datasheet) mijn koelblok al lekker staat op te warmen. Oja...dat dan maal 2!!
Er staan namelijk gebroederlijk 2 van die fets naast elkaar.
Als ik het verder goed begrijp is dat wanneer er een hf input staat aangesloten, de bias spanning wat gaat zakken ten gevolge van de wisselspanning component in het hf signaal. Valt er dan nog te berekenen(of te beredeneren) hoeveel dat is van de totaal aangeleverde bias spanning?
@PASDJS:
Ik heb nu de bias spanning voor beide fets gewoon aan elkaar geknoopt. Kan dit verdere gevolgen hebben ook als de fets een echt "paartje" zijn?
Een postzegelverzamelaar en zendamateur hebben een ding gemeen...bang voor wind!
Re: van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
elke fet aparte bias maken !! er loop toch bijna geen stroom de gate in ..
maar dan wel elke fet dezelfde " Idq " ruststroom " geven.
als het een echte " dual " fet is dan kan je volstaan met een enkele bias
maar dan wel elke fet dezelfde " Idq " ruststroom " geven.
als het een echte " dual " fet is dan kan je volstaan met een enkele bias
- PA3DJS
- Berichten: 2531
- Lid geworden op: 04 mei 2014, 16:41
- Roepletters: PA3DJS
- Locatie: Maarssen
- Contacteer:
Re: van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
Wat heb je?
mosfets gewoon parallel, balans (push pull met stripline baluns), type fet (eventueel datasheet), etc. We blijven een beetje in gokmodes.
Als het een matched pair is (dat betekent dat Vdson niet te veel afwijkt tussen de twee FETs), kun je de bias vanuit één instelling doen. Heb je losse, dan wordt het Id per transistor meten. Aangezien het geen SSB betreft, lijkt mij <20% afwijking in Id bij sturing met vermogen acceptabel.
Als het fets zijn met een geisoleerde gate (dus geen power JFET structuur), dan zou de gelijkspanning op de gate NIET in moeten zakken t.g.v. de RF sturing, omdat er geen DC gatestroom kan lopen. In geval van een andere FET structuur: op zich is wat inzakken niet bezwaarlijk aangezien je geen envelope modulatie (AM, SSB, QAM, etc) gaat gebruiken.
mosfets gewoon parallel, balans (push pull met stripline baluns), type fet (eventueel datasheet), etc. We blijven een beetje in gokmodes.
Als het een matched pair is (dat betekent dat Vdson niet te veel afwijkt tussen de twee FETs), kun je de bias vanuit één instelling doen. Heb je losse, dan wordt het Id per transistor meten. Aangezien het geen SSB betreft, lijkt mij <20% afwijking in Id bij sturing met vermogen acceptabel.
Als het fets zijn met een geisoleerde gate (dus geen power JFET structuur), dan zou de gelijkspanning op de gate NIET in moeten zakken t.g.v. de RF sturing, omdat er geen DC gatestroom kan lopen. In geval van een andere FET structuur: op zich is wat inzakken niet bezwaarlijk aangezien je geen envelope modulatie (AM, SSB, QAM, etc) gaat gebruiken.
Re: van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
@andre:
Zoals Rene vroeg, heb je een typenummer van de FET(s) ?
Zoals Rene vroeg, heb je een typenummer van de FET(s) ?
Re: van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
Ik heb dat wel gelezen Remco, echter mijn vragen hadden meer betrekking over de mosfet werking in het algemeen, met name de gevolgen van te hoge, dan wel te lage bias spanning. Kan ik wel met types aankomen, maar dan weet ik al wat er gaat komen. Uitgebreide technische info, uitsluitend geënt op die tor. Dit wilde ik voorkomen, en dat is zeer goed gelukt. Ben een hoop wijzer geworden, mede ook door de nodige linkjes die door Rick zijn aangedragen.
Over tot de orde van de dag....uhhh ldmosfet!
Over tot de orde van de dag....uhhh ldmosfet!
Een postzegelverzamelaar en zendamateur hebben een ding gemeen...bang voor wind!
Re: van conventionele transistors maar eens naar mosfet's..
@andre:
Gesnopen.
Het ging er mij meer om of het een LDMOS was.. of niet.
Gesnopen.
Het ging er mij meer om of het een LDMOS was.. of niet.