N–Channel Dual Gate MOS-FED

Alle overige elektronica.
Bericht
Auteur
on4btw
Berichten: 177
Lid geworden op: 29 apr 2008, 16:36
Locatie: ROOSDAAL
Contacteer:

N–Channel Dual Gate MOS-FED

#1 Bericht door on4btw »

Hallo,
Mag bij een N–Channel Dual Gate MOS-FED de G1 en G2 omgewisseld worden,bvb een BF961, zijn het gelijke inputs ? Wie heeft daar ervaring mee ?

Gebruikersavatar
PA3DJS
Berichten: 2493
Lid geworden op: 04 mei 2014, 16:41
Roepletters: PA3DJS
Locatie: Maarssen
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#2 Bericht door PA3DJS »

G1 en G2 mag je normaliter niet verwisselen.

De onderste gate heeft zeer weinig capaciteit naar de drain, zodat de schakeling zelden aan het oscilleren gaat (in het 10 fF bereik). De bovenste gate (die vaak als gain control gebruikt wordt) heeft meer capaciteit naar de drain. Zie het als het schermrooster in een vacuumbuis, G2 zit tussen G1 en D in.

Bij gebruik als versterker, leg je G2 voor AC aan massa (kleine ontkoppel-C).

Bij de meeste J-fets, mag je D en S trouwens wel verwisselen (soms handig met PCB routing).

Gebruikersavatar
PA0FRI
Berichten: 2377
Lid geworden op: 19 nov 2007, 02:48
Roepletters: PA0FRI
Locatie: Etten-Leur
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#3 Bericht door PA0FRI »

on4btw schreef:Mag bij een N–Channel Dual Gate MOS-FED de G1 en G2 omgewisseld worden?
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
MOS-FED? Heet transistor in België dransistor of was het een typfoutje?
http://pa0fri.home.xs4all.nl/ met ongeveer 200 praktische onderwerpen voor radiozendamateurs
De eerste stappen zijn theorie en simulatie, maar in de praktijk blijkt pas of het klopt.

on4btw
Berichten: 177
Lid geworden op: 29 apr 2008, 16:36
Locatie: ROOSDAAL
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#4 Bericht door on4btw »

Bedankt PA3DJS voor het snelle antwoord. OK PA0FRI, dit is een schrijffautje van mezelf maar ik dacht dat je dit intussen
wel begrepen had :-)

Ik heb die vraag gesteld naar aanleiding van het bekijken van een 80 m vos ontvanger van http://www.pi4rcg.nl/zelfbouw/80-meter- ... nger-pe7m/, het is niet duidelijk hoe de G1 en G2 moeten verbonden worden, de print tekening is niet duidelijk en ik vermoed dat er een fout in zit,
hoewel ik lees dat er verschillende mensen dit toestelletje hebben samen gesteld en ook gebruiken. Waar zit mijn dwaling ?

Gebruikersavatar
PA3DJS
Berichten: 2493
Lid geworden op: 04 mei 2014, 16:41
Roepletters: PA3DJS
Locatie: Maarssen
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#5 Bericht door PA3DJS »

on4btw schreef:Bedankt PA3DJS voor het snelle antwoord. OK PA0FRI, dit is een schrijffautje van mezelf maar ik dacht dat je dit intussen
wel begrepen had :-)

Ik heb die vraag gesteld naar aanleiding van het bekijken van een 80 m vos ontvanger van http://www.pi4rcg.nl/zelfbouw/80-meter- ... nger-pe7m/, het is niet duidelijk hoe de G1 en G2 moeten verbonden worden, de print tekening is niet duidelijk en ik vermoed dat er een fout in zit,
hoewel ik lees dat er verschillende mensen dit toestelletje hebben samen gesteld en ook gebruiken. Waar zit mijn dwaling ?
Als ik een mixer met dual-gate MOSFET bouw (in het verleden), pak ik normaal de onderste gate voor het RF signaal, en de bovenste als LO-input.

Het gaat hier echter niet om een low-noise circuit. Door G2 als versterkeringang te gebruiken, kun je op G1 met een relatief klein oscillatorsignaal (LO) volstaan. Als relatief hard stuurt op G1, heb je feitelijk een schakelende mixer. Je kan G2 als versterker gebruiken, omdat in- en uitgang niet op dezelfde frequentie staan, dus kans op instabiliteit is nihil. Het zou zo maar kunnen dat men met opzet de LO op G1 zet.

Gebruikersavatar
PA0FRI
Berichten: 2377
Lid geworden op: 19 nov 2007, 02:48
Roepletters: PA0FRI
Locatie: Etten-Leur
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#6 Bericht door PA0FRI »

on4btw schreef: het is niet duidelijk hoe de G1 en G2 moeten verbonden worden, de print tekening is niet duidelijk en ik vermoed dat er een fout in zit.
Het is inderdaad verwarrend, want de componenten zijn getekend kijkend tegen hun onderkant en niet zoals gebruikelijk van boven af gezien. Je kijkt als het ware door de printzijde heen naar de componenten. De drain van de MOSFET moet in elk geval met het keramisch filter verbonden zijn.
http://pa0fri.home.xs4all.nl/ met ongeveer 200 praktische onderwerpen voor radiozendamateurs
De eerste stappen zijn theorie en simulatie, maar in de praktijk blijkt pas of het klopt.

on4btw
Berichten: 177
Lid geworden op: 29 apr 2008, 16:36
Locatie: ROOSDAAL
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#7 Bericht door on4btw »

Inderdaad juist PA0FRI maar dat is maar een kwestie van oplettendheid, waar ik verveeld mee zit zijn de aansluitingen van G1 en G2,
maar ik ga er van uit dat dit zoals het PCB toont geen probleem kan geven gezien er OM's met deze ontvanger werken.

Gebruikersavatar
PA0FRI
Berichten: 2377
Lid geworden op: 19 nov 2007, 02:48
Roepletters: PA0FRI
Locatie: Etten-Leur
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#8 Bericht door PA0FRI »

on4btw schreef:waar ik verveeld mee zit zijn de aansluitingen van G1 en G2, maar ik ga er van uit dat dit zoals het PCB toont geen probleem kan geven gezien er OM's met deze ontvanger werken.
Zo op het oog zie ik geen fouten op de print rondom de BF961's. Zijn de FET's wel goed? Een buitenlandse ham meldde mij vorige week nog dat zijn in China bestelde BF961's het niet deden en vervanging door een betrouwbaarder produkt de oplossing was.
http://pa0fri.home.xs4all.nl/ met ongeveer 200 praktische onderwerpen voor radiozendamateurs
De eerste stappen zijn theorie en simulatie, maar in de praktijk blijkt pas of het klopt.

Gebruikersavatar
pa3met
Berichten: 1477
Lid geworden op: 21 apr 2006, 19:09
Roepletters: PA3MET
Locatie: IJsselstein
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#9 Bericht door pa3met »

PA0FRI schreef:
on4btw schreef:Mag bij een N–Channel Dual Gate MOS-FED de G1 en G2 omgewisseld worden?
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
MOS-FED? Heet transistor in België dransistor of was het een typfoutje?
mos-fed is een ding dat mos gevoerd krijgt denk ik.
IC7851; IC202S; TH-F7E; MD380; IC7000(+4m); IC7300; IC9700, IC705, X6100

on4btw
Berichten: 177
Lid geworden op: 29 apr 2008, 16:36
Locatie: ROOSDAAL
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#10 Bericht door on4btw »

Ik wil er uit geraken, wat is bij dit ontwerp bij de BF961 de juiste aansluiting G1 en G2) in vergelijking met de print ?
Bijlagen
BF961.png
componenten.png

Gebruikersavatar
PA0FRI
Berichten: 2377
Lid geworden op: 19 nov 2007, 02:48
Roepletters: PA0FRI
Locatie: Etten-Leur
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#11 Bericht door PA0FRI »

on4btw schreef:Ik wil er uit geraken, wat is bij dit ontwerp bij de BF961 de juiste aansluiting G1 en G2) in vergelijking met de print ?
Zie schema (G1 en G2). De nummering van de FET is kijkend naar de onderkant en met de wijzers van de klok mee.
Bijlagen
BF961.png
BF961.png (48.86 KiB) 7759 keer bekeken
componenten.png
http://pa0fri.home.xs4all.nl/ met ongeveer 200 praktische onderwerpen voor radiozendamateurs
De eerste stappen zijn theorie en simulatie, maar in de praktijk blijkt pas of het klopt.

on4btw
Berichten: 177
Lid geworden op: 29 apr 2008, 16:36
Locatie: ROOSDAAL
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#12 Bericht door on4btw »

Bedankt PA0FRI voor uw geduld :-) , ik wil hier niet mijn gelijk halen alleen een correctie voor ik aan de bouw begin. De aanduiding G1 en G2 zijn voor de MOSFET juist maar stemmen niet overeen met de aansluiting op de print, vb: bij T1 gaat de aansluiting G1 (volgend schema) niet naar de antennespoel idem voor T4
Bijlagen
2.png
2.png (92.94 KiB) 7741 keer bekeken

Gebruikersavatar
PA0FRI
Berichten: 2377
Lid geworden op: 19 nov 2007, 02:48
Roepletters: PA0FRI
Locatie: Etten-Leur
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#13 Bericht door PA0FRI »

on4btw schreef:De aanduiding G1 en G2 zijn voor de MOSFET juist maar stemmen niet overeen met de aansluiting op de print, vb: bij T1 gaat de aansluiting G1 (volgend schema) niet naar de antennespoel idem voor T4
Volgens de printtekening is G1 verbonden met de top van L2 (13 wdgn) en dat is correct. Is dat bij de geleverde print soms anders?
Bijlagen
componenten (2).gif
http://pa0fri.home.xs4all.nl/ met ongeveer 200 praktische onderwerpen voor radiozendamateurs
De eerste stappen zijn theorie en simulatie, maar in de praktijk blijkt pas of het klopt.

on4btw
Berichten: 177
Lid geworden op: 29 apr 2008, 16:36
Locatie: ROOSDAAL
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#14 Bericht door on4btw »

Wat u aanwijst moet volgens het symbool van de BF961 G2 zijn die naar de antennespoel gaat.
Bijlagen
schema.gif
(11.33 KiB) Nog niet gedownload

Gebruikersavatar
PA3DJS
Berichten: 2493
Lid geworden op: 04 mei 2014, 16:41
Roepletters: PA3DJS
Locatie: Maarssen
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#15 Bericht door PA3DJS »

@ON4BTW:
Zie ik iets over het hoofd?

Door de schuine kantjes kun je toch altijd onderscheid maken tussen S en G2, en G1 zit tegenover D? Laat het symbool in het schema even los, en kijk gewoon waar G1, G2, S en D zitten volgens de datasheet.

Zolang de Source maar aan massa zit (in dit ontwerp), is het prima. Zoals Frits aangeeft, gaat G1 dan altijd naar L2 (en wordt G2 dus als ingang voor de LO gebruikt).

Bij de detector zit G2 ook aan de oscillator via een C (en G1 wordt gestuurd van uit de BC547).

Plaats reactie