N–Channel Dual Gate MOS-FED

Alle overige elektronica.
Bericht
Auteur
pa1bvm
Berichten: 3324
Lid geworden op: 17 mar 2010, 17:31
Roepletters: PA1BVM
Locatie: Schijndel

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#16 Bericht door pa1bvm »

g1 zit altijd tegenover de Drain ( lange pin )
de source is wat dikker met twee flapjes eraan en tegenover de source zit de g2
gaat op voor bf981 cf300 s3030 etc etc

on4btw
Berichten: 177
Lid geworden op: 29 apr 2008, 16:36
Locatie: ROOSDAAL
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#17 Bericht door on4btw »

Ik heb de BF961 eventjes onder het licht gehouden en vastgesteld G1 en G2 onderling mogen verwisseld worden.
De parameters geven duidelijk aan dat zij gelijk zijn met één uitzondering namelijk de ingangscapaciteit. Maar voor
de frequentie op 80m heeft dat geen enkele invloed.Ik ben opnieuw wat "wijzer" geworden.Bedankt iedereen voor het meedenken.

Gebruikersavatar
PA3DJS
Berichten: 2493
Lid geworden op: 04 mei 2014, 16:41
Roepletters: PA3DJS
Locatie: Maarssen
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#18 Bericht door PA3DJS »

on4btw schreef:Ik heb de BF961 eventjes onder het licht gehouden en vastgesteld G1 en G2 onderling mogen verwisseld worden.
De parameters geven duidelijk aan dat zij gelijk zijn met één uitzondering namelijk de ingangscapaciteit. Maar voor
de frequentie op 80m heeft dat geen enkele invloed.Ik ben opnieuw wat "wijzer" geworden.Bedankt iedereen voor het meedenken.
In deze toepassing kun je wellicht G1 en G2 verwisselen, maar dat geldt zeker niet voor andere toepassingen.

Ik weet niet wat jij bedoelt met "onder het licht houden", maar G1 is bijvoorbeeld gevoeliger dan G2. Met gevoeligheid bedoel ik de steilheid (mA/V).

pe1cmo
Berichten: 2069
Lid geworden op: 21 mar 2015, 19:42
Roepletters: pe1cmo
Locatie: Ayamonte (spanje)
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#19 Bericht door pe1cmo »

Het is jammer dat er nog zo veel mooie ontwerpen zijn met dit soort componenten, terwijl ze al meer dan 20 jaar niet uit productie zijn.
Toen ik eens een schrijver van een artikel hierover aansprak zei hij, ik heb er nog genoeg in mijn laatje liggen.

De meeste hobbyisten niet, en gaan Chinese prullaria kopen, zelfde behuizing, zelfde tekst maar werken, ho maar.
Want echte hobby winkels zijn er niet veel meer.

Maar als we echt in de problemen komen, kijk dan eens naar de BF991 en BF998
De 991 is een kopie van de 981 alleen in een behuizing dat nog wel in productie is.
EA7/PE1CMO
Ayamonte España

Gebruikersavatar
PA0FRI
Berichten: 2377
Lid geworden op: 19 nov 2007, 02:48
Roepletters: PA0FRI
Locatie: Etten-Leur
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#20 Bericht door PA0FRI »

PA3DJS schreef: In deze toepassing kun je wellicht G1 en G2 verwisselen, maar dat geldt zeker niet voor andere toepassingen. Ik weet niet wat jij bedoelt met "onder het licht houden"
Ik heb de ervaring dat G1 en G2 wisselen bij een BF981 slecht werkt, ondanks het "onder het licht houden" (goed gestuderen) van de specificaties.
http://pa0fri.home.xs4all.nl/ met ongeveer 200 praktische onderwerpen voor radiozendamateurs
De eerste stappen zijn theorie en simulatie, maar in de praktijk blijkt pas of het klopt.

Gebruikersavatar
PE9ZZ
Berichten: 1239
Lid geworden op: 06 nov 2010, 18:00
Roepletters: PE9ZZ
Locatie: Amsterdam (JO22KI)
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FET

#21 Bericht door PE9ZZ »

on4btw schreef:Ik heb de BF961 eventjes onder het licht gehouden en vastgesteld G1 en G2 onderling mogen verwisseld worden.
Dan heb je voor het gemak wel effe over het hoofd gezien dat er geen S-parameters zijn gespecificeerd voor G2. Dus de werking van die gate kom je uit de datasheet helemaal niet achter. Wel irritant dat het schema zo verwarrend is getekend... Overigens, ik kan me voorstellen dat ze zo'n TO50 component willen gebruiken in tegenstelling tot een SOT23 variant (BF991 etc). Niet iedereen is gecharmeerd van SMD's.

Tjerk, 9ZZ

Gebruikersavatar
PA3DJS
Berichten: 2493
Lid geworden op: 04 mei 2014, 16:41
Roepletters: PA3DJS
Locatie: Maarssen
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#22 Bericht door PA3DJS »

PA0FRI schreef:
PA3DJS schreef: In deze toepassing kun je wellicht G1 en G2 verwisselen, maar dat geldt zeker niet voor andere toepassingen. Ik weet niet wat jij bedoelt met "onder het licht houden"
Ik heb de ervaring dat G1 en G2 wisselen bij een BF981 slecht werkt, ondanks het "onder het licht houden" (goed gestuderen) van de specificaties.
Die ervaring heb ik ook (als bijvoorbeeld 70 MHz IF amplifier). Sturen op G2 als versterker geeft minder gain, grotere kans op instabiliteit, meer terugwerking van uitgang naar ingang, etc. Vandaar dat ik zei dat het in deze toepassing wellicht wel kan, maar in andere toepassingen niet. Het "onder het licht houden" kwam bij ON4BTW vandaan.

Je kan zo'n mosfet zien als aan cascode van twee losse mosfets en dan worden de eigenschappen snel(ler) duidelijk.

Gelukkig zit G1 tegenover D en kun je op de PCB G1 en G2 niet verwisselen. Leg je hem er verkeerd om in, dan werkt de schakeling niet, of onbruikbaar slecht vanwege dag je dan G2 en S verwisselt.

on4btw
Berichten: 177
Lid geworden op: 29 apr 2008, 16:36
Locatie: ROOSDAAL
Contacteer:

Re: N–Channel Dual Gate MOS-FED

#23 Bericht door on4btw »

"onder het licht houden" is een oude Vlaamse uitdrukking, dus niet of weinig bekend in Nederland , zoals er ook Friese uitdrukkingen zijn die in Vlaanderen ook niet bekend zijn, maar wij mogen niet afwijken van het onderwerp :-)

Plaats reactie